Оперативная память 16 GB DDR5 Samsung M425R2GA3BB0-CWM (44800 Мб/с, 5600 МГц, CL40) - Интернет-магазин ВСЁ В ОДНОМ.РФ: бытовая техника, электроника, товары для дома и др.

Верхотуре

+7 920 000 00 01

с 9:00 до 22:00

Выберите свой город

Костромская область

Волгореченск

Верхняя Салда

Кострома

Кологрив

Мантурово

Макарьев

Солигалич

п.Островское

Верхотуре

Тамбовская область

Пензенская область

рп. Земетчино

рп. Башмаково

рп. Лунино

Пермский край

пос. Кукуштан

Брянская область

Дятьково

Тульская область

Челябинская область

Курганская область

Далматово

Курская область

Липецкая область

Лебедянь

Орловская область

Малоархангельск

Ульяновская область

рп. Кузоватово

Саратовская область

Свердловская область

Ярославская область

Оперативная память 16 GB DDR5 Samsung M425R2GA3BB0-CWM (44800 Мб/с, 5600 МГц, CL40)

Код товара: 267893

Акция

Тип памяти: DDR5

Форм-фактор: SODIMM 260-контактный

Тактовая частота: 5600 МГц

Объем: 16 GB

Низкопрофильная (Low Profile): нет

Радиатор: нет

Все характеристики >

В избранное

Сравнить

6 340 ₽

Выгода 630 ₽

Цена: 5 710 ₽

Доставка 30.11.2024

Количество:

- +

Характеристики

Общие характеристики

Тип памяти

DDR5

Форм-фактор

SODIMM 260-контактный

Тактовая частота

5600 МГц

Пропускная способность

44800 Мб/с

Объем

16 GB

Поддержка ECC

нет

Буферизованная (Registered)

нет

Низкопрофильная (Low Profile)

нет

Тайминги

CAS Latency (CL)

40

RAS to CAS Delay (tRCD)

46

Row Precharge Delay (tRP)

46

Activate to Precharge Delay (tRAS)

46

Дополнительно

Напряжение питания

1.1 В

Радиатор

нет